設(shè)備特性
7、可量測(cè)波長(zhǎng)λ=200~1100nm,光強(qiáng)度Iv=0~100000mcd CIE視函數(shù)探測(cè)器;
9、可測(cè)試共陰或共陽(yáng)之任何封裝,單腳單晶、雙腳雙晶、三腳雙晶之Wafer、S或Lamp封裝,可測(cè)試紅外發(fā)射管和接收管;
10、量測(cè)標(biāo)準(zhǔn)可追溯至CIE127-1997、Instrument Systems、NIST和Keithley;
時(shí)間:2022-07-29 20:47:53 作者:admin 點(diǎn)擊: 次
設(shè)備特性
7、可量測(cè)波長(zhǎng)λ=200~1100nm,光強(qiáng)度Iv=0~100000mcd CIE視函數(shù)探測(cè)器;
9、可測(cè)試共陰或共陽(yáng)之任何封裝,單腳單晶、雙腳雙晶、三腳雙晶之Wafer、S或Lamp封裝,可測(cè)試紅外發(fā)射管和接收管;
10、量測(cè)標(biāo)準(zhǔn)可追溯至CIE127-1997、Instrument Systems、NIST和Keithley;
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